Co nas wyróżnia ?

Bezpieczne zakupy w 100 %

połączenie HTTPS

szybkie płatności PAYU, BLUE MEDIA

płatności kartą VISA, MASTERCARD
Darmowy transport i 14 dni na zwrot!

tysiące produktów z darmowym transportem!

każdy konsument ma 14 dni na rozmyślenie się z zakupu!
Fachowa i rzetelna obsługa!

Masz pytania?

Nie szukaj dalej, skontaktuj się lub prześlij zapytanie tutaj.

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

Jestem zadowolony z obsługi i zakupionego towaru, polecam.

Profesjonalna obsługa, towar zgodny z oczekiwaniami.

Szybka przesyłka, dobre ceny, szeroki asortyment.

wszystko bardzo poprawne - zgodnie z oczekiwaniami, przepływ informacji szybki i jednoznaczny, towar dostarczony zgodny z zamówieniem, bardzo starannie zabezpieczona przesyłka, w niej oczywiście kompletna dokumentacja zakupu jak i zamówiony towar.

Świetne zakupy. Doskonale zabezpieczony sprzęt. Szybka dostawa.

Kupiłem dobrą połowę swojego komputera tu, jest chyba jeden z najlepszych sklepów sprzętu komputerowego. Polecam:)

Mushkin - DDR4 - 32 GB - 2666 - CL - 19 - Single ECC/REG 2Rx4

Numer katalogowy: 1300943-240423051030

Producent: MUSHKIN

Opinie

358.20 zł

brutto za 1 szt

Koszt wysyłki: od 8.99 zł

Przewidywany czas dostawy: około pt. 26.04 - wt. 30.04 u Ciebie

Dane główne

Numer katalogowy: 1300943-240423051030

Producent: MUSHKIN

Model: MPL4R266KF32G24

EAN: 0846651027382

Koszt wysyłki: od 8.99 zł

Cena z dnia: 2024-04-23

Koszty i czas wysyłki:

Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Typ produktu: SDRAM DDR4
EAN: 0846651027382
Kod producenta: MPL4R266KF32G24
Seria: Proline
Pojemność: 32 GB
Ilość: 1 sztuka
Projekt: DIMM
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,2 wolta
Standardowo: DDR4-2666 (PC4-21300)
Zegar fizyczny: 1333 MHz
Czas: 19
: 19
: 19
: 43
Funkcja: ECC, zarejestrowana
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.