Co nas wyróżnia ?

  • Bezpieczne zakupy w 100 %

    połączenie HTTPS

    szybkie płatności PAYU, BLUE MEDIA

    płatności kartą VISA, MASTERCARD

  • Darmowy transport i 14 dni na zwrot!

    tysiące produktów z darmowym transportem!

    każdy konsument ma 14 dni na rozmyślenie się z zakupu!

  • Fachowa i rzetelna obsługa!

    Masz pytania?

    Nie szukaj dalej, skontaktuj się lub prześlij zapytanie tutaj.

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

Jestem zadowolony z obsługi i zakupionego towaru, polecam.


Profesjonalna obsługa, towar zgodny z oczekiwaniami.


Szybka przesyłka, dobre ceny, szeroki asortyment.


wszystko bardzo poprawne - zgodnie z oczekiwaniami, przepływ informacji szybki i jednoznaczny, towar dostarczony zgodny z zamówieniem, bardzo starannie zabezpieczona przesyłka, w niej oczywiście kompletna dokumentacja zakupu jak i zamówiony towar.


Świetne zakupy. Doskonale zabezpieczony sprzęt. Szybka dostawa.


Kupiłem dobrą połowę swojego komputera tu, jest chyba jeden z najlepszych sklepów sprzętu komputerowego. Polecam:)

Mushkin DDR4 - 16 GB - 2666 - CL - 19 - Single Proline ECC

Mushkin DDR4 - 16 GB - 2666 - CL - 19 - Single Proline ECC główny
1165346-240428051323
MUSHKIN
Opinie
229.70 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
Zapytaj nas o produkt
od 8.99 zł
około śr. 01.05 - pt. 03.05 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1165346-240428051323
MUSHKIN
MPL4E266KF16G28
0846651029386
od 8.99 zł
2024-04-28
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Typ produktu: SDRAM DDR4
EAN: 0846651029386
Kod producenta: MPL4E266KF16G28
Seria: Proline
Pojemność: 16 GB
Ilość: 1 sztuka
Projekt: DIMM
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,2 wolta
Standardowo: DDR4-2666 (PC4-21300)
Zegar fizyczny: 1333 MHz
Czas: 19
: 19
: 19
: 43
Uwaga: podwójna ranga x8
Cechy: ECC
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.