Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

G.Skill DDR4 - 128GB 3200 - CL - 16 TZ Royal Silver - Octo Kit

G.Skill DDR4 - 128GB 3200 - CL - 16 TZ Royal Silver - Octo Kit główny
1327050-240418224645
G.SKILL
Opinie
1893.56 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 8.99
około śr. 24.04 - pt. 26.04 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1327050-240418224645
G.SKILL
F4-3200C16Q-128GTRS
4713294224972
od 8.99
2024-04-18
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Typ produktu: SDRAM DDR4
Srebro
EAN: 4713294224972
Kod producenta: F4-3200C16Q-128GTRS
Seria: Trident Z Royal
Oznaczenie modelu: F4-3200C16Q-128GTRG
Pojemność: 128 GB (4 x 32 GB)
Ilość: 4 sztuki
Projekt: DIMM
Odpowiedni kanał: czterokanałowy
Profile: XMP (wersja 2.0)
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,35 wolta
Domyślnie: DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny: 1600 MHz
Czas: 16
: 18
: 18
: 38
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.

Typ produktu: SDRAM DDR4
Srebro
EAN: 4713294224972
Kod producenta: F4-3200C16Q-128GTRS
Seria: Trident Z Royal
Oznaczenie modelu: F4-3200C16Q-128GTRG
Pojemność: 128 GB (4 x 32 GB)
Ilość: 4 sztuki
Projekt: DIMM
Odpowiedni kanał: czterokanałowy
Profile: XMP (wersja 2.0)
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,35 wolta
Domyślnie: DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny: 1600 MHz
Czas: 16
: 18
: 18
: 38
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.