Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

SAMSUNG Dysk SSD 970 EVO MZ-V7E1T0BW 1TB / NVMe M.2 PCIe 1TB, 3500/2500MB/s

859336-231215111000
SAMSUNG
Opinie

Dane główne

859336-231215111000
SAMSUNG
MZ-V7E1T0BW
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Samsung SSD M.2 970 EVO 1 TB NVMe PCIe

Idealny do systemów nowej generacji. Dzięki prędkości do 3400 MB / s nowy dysk SSD oferuje wyjątkowo wysoką wydajność odczytu i wyjątkową niezawodność. Dzięki najnowszej generacji napędów Samsung wyraźnie przewyższa swoich poprzedników. Dzięki najnowszej technologii pamięci V-NAND, nowemu kontrolerowi Phoenix i technologii Intelligent TurboWrite możesz wykonywać wysokiej jakości gry lub wideo 4K lub przetwarzanie grafiki 3D na wysokim poziomie.

Wydajność SSD nowej generacji

  

Niesamowity dysk SSD do najnowszych systemów o bardzo wysokiej efektywności odczytu, dzięki szybkości do 3400MB / s. Dzięki najnowszym kontrolerze Phoenix  oraz technologia Intelligent TurboWrite przekształca wysokiej klasy gry i oferuje szybką prędkość dla intensywnych graficznie przepływów pracy. Wydajność jest o 32% większ z porównanie mdo poprzedniej generacji. 970 EVO to gigantyczny skok w rozwóju w dziedzinie dysków SSD NVMe, ponieważ dysk oferuje pojemność 1 TB w małej obudowie M.2 (2280). Takli dysk oszczędza cenną przestrzeń systemową na inne komponenty.

Trwałość

970 EVO oferuje niesamowitą trwałość dzięki najnowszej technologii pamięci V-NAND i sprawdzoną jakość Samsunga.

Absolutna niezawodność

Zaufanie musi zostać zdobyte. Nowy kontroler Samsung ma powłokę niklową, a moduł napędowy 970 EVO jest wyposażony w rozpraszacz ciepła, dzięki czemu efektywne ciepło odpadowe jest skutecznie odprowadzane. Ponadto funkcja Dynamic Thermal Guard stale monitoruje napęd, dzięki czemu utrzymywane są optymalne temperatury pracy, a wydajność może być stała.



Cechy szczególne

  • Pamięć 1 TB
  • Dysk SSD NVMe wyposażony w najnowszą technologię Samsung V-NAND
  • Sekwencyjny odczyt do 3400 MB / s oraz prędkość zapisu 2500 Mb / s
  • Inteligentna technologia TurboWrite
  • Współczynnik kształtu M.2 (2280) z obsługą NVMe
  • Kontroler Samsung Phoenix z 1 GB pamięci LPDDR4-SDRAM

Parametry techniczne

Parametry techniczne produktu

Interfejs pamięci SSD
PCI Express 3.0
Rozmiar kieszeni dysku SSD
M.2
Pojemność pamięci SSD
1000 GB
Standardowe rozwiązania komunikacyjne
PCI Express 3.0
Element dla
PC
Typ pamięci
V-NAND MLC
NVM ekspresowe (NVMe) obsługiwany
Tak
NVMe
Tak
NVM ekspresowe (NVMe) wersja
1.3
Przeznaczenie
PC
Szyfrowanie sprzętu
Tak
NVMe wersja
1.3
Random read (4KB)
500000 IOPS
Szyfrowanie / bezpieczeństwo
256-bit AES
Prędkość odczytu z nośnika
3400 MB/s
Random write (4KB)
450000 IOPS
Prędkość zapisu nośnika
2500 MB/s
Rodzaj kontrolera
Samsung Phoenix
Łącze PCI Express
x4
obsługa S.M.A.R.T.
Tak
Wsparcie TRIM
Tak
Zapisywanie sekwencyjne
Tak
MTBF (Średni okres międzyawaryjny)
1500000 h
Opal SSC 2.0
Tak
TCG Opal 2.0
Tak
Typ błysku NAND
MLC (Multi Level Cell)
Napięcie pracy
3,3 V
Pobór mocy (odczyt)
6 W
Pobór mocy (zapis)
6 W
zgodność z RoHS
Tak
Zużycie energii DevSlp (uśpienia urządzenia)
5 mW
Zakres temperatur (eksploatacja)
0 - 70 °C
Power consumption (read)
6 W
Wibracje podczas przechowywania
20 G
Power consumption (write)
6 W
Wstrząsy podczas pracy
1500 G
Power consumption DevSlp (device sleep)
5 mW
Wstrząsy podczas przechowywania
1500 G
Certyfikat środowiskowy (zrównoważonego rozwoju)
RoHS
Zakres temperatur (przechowywanie)
-45 - 85 °C
Szerokość produktu
80,2 mm
Zakres wilgotności względnej
5 - 95%
Głębokość produktu
22,1 mm
Wysokość produktu
2,38 mm
Kolor produktu
Czarny
Wibraje podczas przechowywania
20 G
Data premiery
4/16/2018
Długość urządzenia
2,38 mm
Wysokość urządzenia
22,1 mm

Produkty podobne producenta