DDR3 8 GB 1600MHZ DUAL RIPJAWS G.SKILL CL9
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 185534-261027073002
- Producent
- G.SKILL
- Model
- F3-12800CL9D-8GBXL
- EAN
- 4711148596725
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-28
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Dane techniczne:
Nazwa produktu: G.Skill 8GB DDR3 - 1600 MHz
Kod EAN: 4711148596725
Kod producenta: F3-12800CL9D-8GBXL
Seria RipjawsX
Pojemność razem 8 GB
Moduły Ilość kości 2 sztuki
Format DIMM
Gwarancja producenta: dożywotnia
Typ pamięci DDR3
Standard DDR3-1600 (PC3-12800)
Timings
Latencja (CL) 9
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 9
RAS-Precharge-Time (tRP) 9
Row-Active-Time (tRAS) 24
Organizacja 256Mx8
Napięcie 1.5 V
zgodny z RoHS Tak
G.Skill to marka założona przez entuzjastów sprzętu komputerowego w 1989 roku, która specjalizuje się w wypuszczaniu na rynki światowe wydajnych pamięci RAM oraz szybkich dysków SSD. Producent ten jest znany z dużego działu Research & Development, dzięki czemu ich pamięci są bardzo znane z wysokiej bezawaryjności i dobrej współpracy nawet na najwyższych obrotach w bardziej zaawansowanych trybach.
Dane techniczne:
Nazwa produktu: G.Skill 8GB DDR3 - 1600 MHz
Kod EAN: 4711148596725
Kod producenta: F3-12800CL9D-8GBXL
Seria RipjawsX
Pojemność razem 8 GB
Moduły Ilość kości 2 sztuki
Format DIMM
Gwarancja producenta: dożywotnia
Typ pamięci DDR3
Standard DDR3-1600 (PC3-12800)
Timings
Latencja (CL) 9
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 9
RAS-Precharge-Time (tRP) 9
Row-Active-Time (tRAS) 24
Organizacja 256Mx8
Napięcie 1.5 V
zgodny z RoHS Tak
Zestaw specjalnie dobranych pamięci do pracy w trybie Dual Channel, dzięki czemu dostajemy gwarancję producenta, że obie kości będą ze sobą idealnie współpracowały.DDR3 oferują szybkość pracy dwukrotnie większą niż najszybsze dostępne obecnie pamięci DDR2, zaś znacznie większa przepustowość magistrali predestynuje je do wydajnej współpracy w systemach z procesorami dwu- i cztero rdzeniowymi.Niższe napięcie zasilania w porównaniu z pamięciami DDR2 (1,8 V) sprzyjać będzie także lepszej wydajności termicznej pamięci.

















