G.Skill DDR4 SO-DIMM 16GB 2400-16 Ripjaws
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 614234-261027073005
- Producent
- G.SKILL
- Model
- F4-2400C16S-16GRS
- EAN
- 848354017677, 4719692007674, 0848354017677
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-28
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ DDR4
EAN 4719692007674
Numer producenta F4-2400C16S-16GRS
Seria Ripjaws
Pojemność 16 GB
Ilość: 1 sztuka
Współczynnik kształtu SO-DIMM
Konfiguracja jednostronna
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa DDR4-2400 (PC4-19200)
Prędkość fizyczna zegara 1200 MHz
Czasy opóźnienia CAS (CL) 16
Czas aktywności wiersza (tRAS) 39
Więcej informacji: DDR4 to następca DDR3, oferujący szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, np. do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większą gęstość danych (umożliwiającą stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, a w przyszłości nawet 512 GB) oraz lepszą stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parzystość detection) i „Per DRAM Addressability”.
Waga 26 gramów
G.Skill F4-2400C16S-16GRS to moduł jednokanałowy z serii Ripjaws, składający się z 16-gigabajtowego modułu pamięci DDR4-2400 (PC4-19200, CL16). 260-pinowa, niebuforowana pamięć SO-DIMM jest wyposażona w układy scalone FBGA i ma pozłacane styki.
Typ DDR4
EAN 4719692007674
Numer producenta F4-2400C16S-16GRS
Seria Ripjaws
Pojemność 16 GB
Ilość: 1 sztuka
Współczynnik kształtu SO-DIMM
Konfiguracja jednostronna
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa DDR4-2400 (PC4-19200)
Prędkość fizyczna zegara 1200 MHz
Czasy opóźnienia CAS (CL) 16
Czas aktywności wiersza (tRAS) 39
Więcej informacji: DDR4 to następca DDR3, oferujący szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, np. do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większą gęstość danych (umożliwiającą stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, a w przyszłości nawet 512 GB) oraz lepszą stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parzystość detection) i „Per DRAM Addressability”.
Waga 26 gramów

















