G.Skill DDR4 SO-DIMM 8GB 2400-16 Ripjaws - Dual Kit
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 614231-261027073005
- Producent
- G.SKILL
- Model
- F4-2400C16D-8GRS
- EAN
- 4719692007643
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-28
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ DDR4
EAN 4719692007643
Numer producenta F4-2400C16D-8GRS
Seria Ripjaws
Pojemność 8 GB (2 x 4 GB)
Ilość: 2 sztuki
Współczynnik kształtu SO-DIMM
Montaż dwustronny
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa DDR4-2400 (PC4-19200)
Prędkość fizyczna zegara 1200 MHz
Czasy opóźnienia CAS (CL) 16
Czas aktywności wiersza (tRAS) 39
Więcej informacji: DDR4 to następca DDR3, oferujący szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, np. do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większą gęstość danych (umożliwiającą stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, a w przyszłości nawet 512 GB) oraz lepszą stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parzystość detection) i „Per DRAM Addressability”.
Waga 46 gramów
G.Skill F4-2400C16D-8GRS to dwukanałowy zestaw z serii Ripjaws, składający się z dwóch modułów pamięci DDR4-2400 o pojemności 4 GB (PC4-19200, CL16). Łączna pojemność wynosi 8 GB. 260-pinowe, niebuforowane moduły SO-DIMM są wyposażone w układy FBGA i mają pozłacane styki.
Typ DDR4
EAN 4719692007643
Numer producenta F4-2400C16D-8GRS
Seria Ripjaws
Pojemność 8 GB (2 x 4 GB)
Ilość: 2 sztuki
Współczynnik kształtu SO-DIMM
Montaż dwustronny
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa DDR4-2400 (PC4-19200)
Prędkość fizyczna zegara 1200 MHz
Czasy opóźnienia CAS (CL) 16
Czas aktywności wiersza (tRAS) 39
Więcej informacji: DDR4 to następca DDR3, oferujący szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, np. do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większą gęstość danych (umożliwiającą stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, a w przyszłości nawet 512 GB) oraz lepszą stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parzystość detection) i „Per DRAM Addressability”.
Waga 46 gramów

















