g.skill Pamięć do PC - DDR4 16GB (2x8GB) Aegis 3200MHz CL16 XMP2 TRAY
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1046303-261028073008
- Producent
- G.SKILL
- Model
- F4-3200C16D-16GIS
- EAN
- 4713294224385
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-28
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ SDRAM-DDR4
Kolor czarny
Kod producenta F4-3200C16D-16GIS
Seria Egida
Pojemność 16 GB (2x8 GB)
Numer 2 sztuk
Konstrukcja DIMM
Odpowiedni kanał dwukanałowy
Profile INTEL XMP (wersja 2.0)
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,35 V (od 1,2 do 1,35 V)
Standardowa pamięć DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 16
Czas aktywności wiersza (tRAS) 38
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.
Waga 36 gramów
G.Skill F4-3200C16D-16GIS to zestaw dwóch modułów pamięci DDR4-3200 o pojemności 8 GB (PC4-25600) z serii Aegis firmy G.Skill. Całkowita pojemność wynosi 16 GB. Moduły są zaprogramowane na opóźnienia 16-18-18-38 przy 3200 MHz i wymagają napięcia 1,35 V. Obsługiwany jest Intel XMP 2.0.
Typ SDRAM-DDR4
Kolor czarny
Kod producenta F4-3200C16D-16GIS
Seria Egida
Pojemność 16 GB (2x8 GB)
Numer 2 sztuk
Konstrukcja DIMM
Odpowiedni kanał dwukanałowy
Profile INTEL XMP (wersja 2.0)
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,35 V (od 1,2 do 1,35 V)
Standardowa pamięć DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 16
Czas aktywności wiersza (tRAS) 38
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.
Waga 36 gramów

















