g.skill Pamięć DDR4 16GB Aegis 3000MHz CL16
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 892372-261028094818
- Producent
- G.SKILL
- Model
- F4-3000C16S-16GISB
- EAN
- 4719692013453
- Koszt wysyłki
- od 10.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-28
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ SDRAM-DDR4
Kod producenta F4-3000C16S-16GISB
Seria Egida
Pojemność 16 GB
Numer 1 szt
Konstrukcja DIMM
Kanał odpowiedni dla pojedynczego kanału
Profile INTEL XMP (wersja 2.0)
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,35 V (od 1,2 do 1,35 V)
Standardowa pamięć DDR4-3000 (PC4-24000)
Zegar fizyczny 1500 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 16
Czas aktywności wiersza (tRAS) 38
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.
G.Skill F4-3000C16S-16GISB to jednokanałowy moduł pamięci DDR4-3000 o pojemności 16 GB (PC4-24000) z serii Aegis firmy G.Skill. Moduł jest zaprogramowany na opóźnienie 16-18-18-38 przy 3000 MHz i wymaga napięcia 1,35 V. Obsługiwana jest wersja XMP firmy Intel 2.0.
Typ SDRAM-DDR4
Kod producenta F4-3000C16S-16GISB
Seria Egida
Pojemność 16 GB
Numer 1 szt
Konstrukcja DIMM
Kanał odpowiedni dla pojedynczego kanału
Profile INTEL XMP (wersja 2.0)
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,35 V (od 1,2 do 1,35 V)
Standardowa pamięć DDR4-3000 (PC4-24000)
Zegar fizyczny 1500 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 16
Czas aktywności wiersza (tRAS) 38
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.

















