Pamięć DDR4 Team Group Vulcan Z 16GB 3600MHz CL18 1,35V Grey
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1259026-261015095423
- Producent
- Team Group
- Model
- TLZGD416G3600HC18J01
- EAN
- 0765441652132
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-15
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ SDRAM-DDR4
kolor szary
Kod EAN -0765441652132
Numer części producenta: TLZGD416G3600HC18J01
Seria VULCAN Z
Pojemność 16 GB
Ilość 1 sztuka
formacie DIMM
Profile INTEL XMP (wersja 2.0)
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,35 V
DDR4-3600 (PC4-28800)
Zegar fizyczny 1800 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 18
Czas aktywności wiersza (tRAS) 42
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB) oraz poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność per DRAM”.
Team Group TLZGD416G3600HC18J01 to moduł pamięci DDR4-3600 o pojemności 16 GB (PC4-28800) z serii VULCAN Z. Moduł obsługuje taktowanie 18-22-22-42 przy 3600 MHz i wymaga napięcia 1,35 V. Obsługiwana jest wersja 2.0 profilu pamięci Intel XMP. Nr artykułu: 1780722
Typ SDRAM-DDR4
kolor szary
Kod EAN -0765441652132
Numer części producenta: TLZGD416G3600HC18J01
Seria VULCAN Z
Pojemność 16 GB
Ilość 1 sztuka
formacie DIMM
Profile INTEL XMP (wersja 2.0)
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,35 V
DDR4-3600 (PC4-28800)
Zegar fizyczny 1800 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 18
Czas aktywności wiersza (tRAS) 42
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB) oraz poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność per DRAM”.

















