G.SKILL Ripjaws DDR4 8GB 3200MHz CL22 SO-DIMM 1.2V
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1114751-261027073009
- Producent
- G.SKILL
- Model
- F4-3200C22S-8GRS
- EAN
- 4713294226624
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-27
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ SDRAM-DDR4
Kod EAN 4713294226624
Kod producenta F4-3200C22S-8GRS
Seria Ripjaws
Pojemność 8 GB
Numer 1 szt
Konstrukcja SO-DIMM
Wyposażony z jednej strony
Kanał odpowiedni dla pojedynczego kanału
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa pamięć DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 22
Czas wstępnego ładowania RAS (tRP) 22
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.
G.Skill F4-3200C22S-8GRS to jednokanałowy moduł pamięci DDR4-3200 o pojemności 8 GB (PC4-25600). 260-pinowy niebuforowany moduł SO-DIMM obsługuje taktowanie 22-22-22-52 przy 3200 MHz i wymaga napięcia 1,2 V. Moduł nadaje się do notebooków i systemów mobilnych z obsługą DDR4 SO-DIMM.
Typ SDRAM-DDR4
Kod EAN 4713294226624
Kod producenta F4-3200C22S-8GRS
Seria Ripjaws
Pojemność 8 GB
Numer 1 szt
Konstrukcja SO-DIMM
Wyposażony z jednej strony
Kanał odpowiedni dla pojedynczego kanału
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa pamięć DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 22
Czas wstępnego ładowania RAS (tRP) 22
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.


















