g.skill Pamięć SODIMM DDR4 32GB (2x16GB) Ripjaws 2666MHz CL19 1,2V
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1061047-261028073009
- Producent
- G.SKILL
- Model
- F4-2666C19D-32GRS
- EAN
- 4713294220875
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-28
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ DDR4
EAN 4713294220875
Numer producenta F4-2666C19D-32GRS
Seria Ripjaws
Pojemność 32 GB (2 x 16 GB)
Ilość: 2 sztuki
Współczynnik kształtu SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa DDR4-2666 (PC4-21300)
Prędkość fizyczna zegara 1333 MHz
Czasy opóźnienia CAS (CL) 19
Czas aktywności wiersza (tRAS) 43
Więcej informacji: DDR4 to następca DDR3, oferujący szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, np. do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większą gęstość danych (umożliwiającą stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, a w przyszłości nawet 512 GB) oraz lepszą stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parzystość detection) i „Per DRAM Addressability”.
Waga 25 gramów
G.Skill F4-2666C19D-32GRS to zestaw dwóch modułów pamięci DDR4-2666 (PC4-21300) o pojemności 16 GB z serii Ripjaws. Łączna pojemność wynosi 32 GB. 260-pinowe moduły SO-DIMM obsługują taktowanie 19-19-19-43 przy częstotliwości 2666 MHz i wymagają napięcia 1,2 V.
Typ DDR4
EAN 4713294220875
Numer producenta F4-2666C19D-32GRS
Seria Ripjaws
Pojemność 32 GB (2 x 16 GB)
Ilość: 2 sztuki
Współczynnik kształtu SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa DDR4-2666 (PC4-21300)
Prędkość fizyczna zegara 1333 MHz
Czasy opóźnienia CAS (CL) 19
Czas aktywności wiersza (tRAS) 43
Więcej informacji: DDR4 to następca DDR3, oferujący szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, np. do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większą gęstość danych (umożliwiającą stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, a w przyszłości nawet 512 GB) oraz lepszą stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parzystość detection) i „Per DRAM Addressability”.
Waga 25 gramów


















