Crucial DDR4 - 16GB - 3200 - CL - 22 1.2V Dual Kit CT2K8G4DFRA32A
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1302770-261001073010
- Producent
- Crucial
- Model
- CT2K8G4DFRA32A
- EAN
- 649528903556, 0649528903556
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-01
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ SDRAM-DDR4
Kod EAN 0649528903556
Kod producenta CT2K8G4DFRA32A
Nazwa modelu CT2K8G4DFS832A
Pojemność 16 GB (2x8 GB)
Numer 2 sztuk
Konstrukcja DIMM
Organizacja układów pamięci 2048Mx8
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa pamięć DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 22
Czas wstępnego ładowania RAS (tRP) 22
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.
Crucial CT2K8G4DFRA32A to zestaw dwóch modułów pamięci DDR4-3200 o pojemności 8 GB (PC4-25600). Całkowita pojemność wynosi 16 GB. Moduły są zaprogramowane na opóźnienie 22-22-22 przy 3200 MHz i wymagają napięcia 1,2 V.
Typ SDRAM-DDR4
Kod EAN 0649528903556
Kod producenta CT2K8G4DFRA32A
Nazwa modelu CT2K8G4DFS832A
Pojemność 16 GB (2x8 GB)
Numer 2 sztuk
Konstrukcja DIMM
Organizacja układów pamięci 2048Mx8
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa pamięć DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 22
Czas wstępnego ładowania RAS (tRP) 22
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.


















