corsair Pamięć DDR4 Vengeance 32GB/3200 (2*16GB) CL22 SODIMM, czarna
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1445790-261001073013
- Producent
- CORSAIR
- Model
- CMSX32GX4M2A3200C22
- EAN
- 840006631897, 0840006631897
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-01
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ DDR4
czarny
EAN 0840006631897
Numer producenta CMSX32GX4M2A3200C22
Seria Zemsta
Pojemność 32 GB (2 x 16 GB)
Ilość: 2 sztuki
Współczynnik kształtu SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa DDR4-3200 (PC4-25600)
Prędkość fizyczna zegara 1600 MHz
Czasy opóźnienia CAS (CL) 22
Czas aktywności wiersza (tRAS) 53
Więcej informacji: DDR4 to następca DDR3, oferujący szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, np. do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większą gęstość danych (umożliwiającą stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, a w przyszłości nawet 512 GB) oraz lepszą stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parzystość detection) i „Per DRAM Addressability”.
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 to zestaw dwóch modułów pamięci DDR4-3200 (PC4-25600) o pojemności 16 GB z serii Vengeance. Łączna pojemność wynosi 32 GB. Moduły SO-DIMM obsługują taktowanie 22-22-22-53 przy częstotliwości 3200 MHz i wymagają napięcia 1,2 V.
Typ DDR4
czarny
EAN 0840006631897
Numer producenta CMSX32GX4M2A3200C22
Seria Zemsta
Pojemność 32 GB (2 x 16 GB)
Ilość: 2 sztuki
Współczynnik kształtu SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa DDR4-3200 (PC4-25600)
Prędkość fizyczna zegara 1600 MHz
Czasy opóźnienia CAS (CL) 22
Czas aktywności wiersza (tRAS) 53
Więcej informacji: DDR4 to następca DDR3, oferujący szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, np. do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większą gęstość danych (umożliwiającą stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, a w przyszłości nawet 512 GB) oraz lepszą stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parzystość detection) i „Per DRAM Addressability”.

















