ADATA DDR4 - 4GB -2666 - CL - 19, Single (1x 4 GB), green memory, AD4S26664G19-SGN, Premier
kurier / paczkomat
dni robocze
Dane główne
- Numer katalogowy
- 1840909-261026050020
- Producent
- A-DATA
- Model
- AD4S26664G19-SGN
- EAN
- 4711085931474
- Koszt wysyłki
- od 8.99 zł
- Cena z dnia
- 2026-10-27
- Koszty i czas wysyłki
- Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.
Regulamin
Opis
Typ SDRAM-DDR4
zielony
Numer EAN 4711085931474
Numer producenta AD4S26664G19-SGN
Premier Series
Pojemność 4 GB
Ilość: 1 sztuka
Współczynnik kształtu SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V (od 1,1 do 1,2 V)
Standardowa DDR4-2666 (PC4-21300)
Prędkość fizyczna zegara 1333 MHz
Czasy opóźnienia CAS (CL) 19
Więcej informacji: DDR4 to następca DDR3, oferujący szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, np. do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większą gęstość danych (umożliwiającą stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, a w przyszłości nawet 512 GB) oraz lepszą stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parzystość detection) i „Per DRAM Addressability”.
Moduł pamięci ADATA AD4S26664G19-SGN to 4-gigabajtowy moduł pamięci DDR4-2666 (PC4-21300) z serii Premier. Ten 260-pinowy moduł SO-DIMM obsługuje opóźnienie 19 przy częstotliwości 2666 MHz i wymaga napięcia 1,2 V.
Typ SDRAM-DDR4
zielony
Numer EAN 4711085931474
Numer producenta AD4S26664G19-SGN
Premier Series
Pojemność 4 GB
Ilość: 1 sztuka
Współczynnik kształtu SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V (od 1,1 do 1,2 V)
Standardowa DDR4-2666 (PC4-21300)
Prędkość fizyczna zegara 1333 MHz
Czasy opóźnienia CAS (CL) 19
Więcej informacji: DDR4 to następca DDR3, oferujący szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, np. do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większą gęstość danych (umożliwiającą stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, a w przyszłości nawet 512 GB) oraz lepszą stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parzystość detection) i „Per DRAM Addressability”.


















