Co nas wyróżnia ?

Bezpieczne zakupy w 100 %

połączenie HTTPS

szybkie płatności PAYU, BLUE MEDIA

płatności kartą VISA, MASTERCARD
Darmowy transport i 14 dni na zwrot!

tysiące produktów z darmowym transportem!

każdy konsument ma 14 dni na rozmyślenie się z zakupu!
Fachowa i rzetelna obsługa!

Masz pytania?

Nie szukaj dalej, skontaktuj się lub prześlij zapytanie tutaj.

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

Jestem zadowolony z obsługi i zakupionego towaru, polecam.

Profesjonalna obsługa, towar zgodny z oczekiwaniami.

Szybka przesyłka, dobre ceny, szeroki asortyment.

wszystko bardzo poprawne - zgodnie z oczekiwaniami, przepływ informacji szybki i jednoznaczny, towar dostarczony zgodny z zamówieniem, bardzo starannie zabezpieczona przesyłka, w niej oczywiście kompletna dokumentacja zakupu jak i zamówiony towar.

Świetne zakupy. Doskonale zabezpieczony sprzęt. Szybka dostawa.

Kupiłem dobrą połowę swojego komputera tu, jest chyba jeden z najlepszych sklepów sprzętu komputerowego. Polecam:)

G.Skill DDR4 - 32GB - 3600 - CL - 16 TZ Royal Elite S Quad Kit GSK - F4-3600C16Q-32GTESC

Numer katalogowy: 1327036-230821105342

Producent: G.SKILL

Opinie

Produkt archiwalny

Zapytaj nas o produkt

Dane główne

Numer katalogowy: 1327036-230821105342

Producent: G.SKILL

Model: F4-3600C16Q-32GTESC

EAN:

Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Typ produktu: SDRAM DDR4
Kolor: srebrny (błyszczący)
EAN: 471329428864
Kod producenta: F4-3600C16Q-32GTESC
Seria: Trident Z Royal Elite
Pojemność: 32 GB (4 x 8 GB)
Ilość: 4 sztuki
Projekt: DIMM
Odpowiedni kanał: czterokanałowy
Profile: XMP (wersja 2.0)
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,2 V (od 1,2 do 1,35 V)
Domyślnie: DDR4-3600 (PC4-28800)
Zegar fizyczny: 1800 MHz
Czas: 16
: 19
: 19
: 39
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.